MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF

Los MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF de Vishay son MOSFET de potencia de canal N con diodo de activación rápida, de 600 V, desarrollados para topologías PWM de conmutación suave / ZVS, como puentes de cambio de fase y medios puentes de convertidor LLC. Los MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF aumentan la fiabilidad en estas aplicaciones gracias a un nivel de Qrr 10 veces más bajo que los MOSFET estándar. Estos dispositivos recuperan la capacidad de bloqueo de la tensión de ruptura completa con más rapidez, lo que contribuye a evitar fallos provocados por saturación y sobrecarga térmica. Asimismo, la reducción del nivel de Qrr ofrece menores pérdidas de recuperación inversa en comparación con los MOSFET estándar. La resistencia de encendido y la carga de compuertas muy bajas del dispositivo proporcionan pérdidas de conducción y conmutación extremadamente reducidas para ahorrar energía en aplicaciones de modo de conmutación de alta potencia y alto rendimiento. La serie se basa en la tecnología de máxima unión de la serie E, es totalmente resistente a avalanchas (UIS) y se ofrece en paquetes TO-220, TO-263, TO-220F y TO-247AC.
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Resultados: 31
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
7.426En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.516En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
2.218En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Hoja de datos
1.710En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Hoja de datos
1.042En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Hoja de datos
1.695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
461En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
289En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
835En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.873En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
Hoja de datos
409En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.996En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.927En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
944En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.387En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.620En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
59En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
953Fecha prevista: 21/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Hoja de datos
500Disponible en almacén
Más información disponible
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
5.000Disponible en almacén
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube