MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ G2

Los MOSFET de carburo de silicio G2 CoolSiC™ de Infineon Technologies permiten un excelente nivel de rendimiento de SiC al tiempo que cumplen los más altos estándares de calidad en todas las combinaciones de esquemas de alimentación comunes (CA-CC, CC-CC y CC-CA). Los MOSFET de SiC ofrecen un rendimiento adicional para inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos, fuentes de alimentación y accionamientos de motores, en comparación con las alternativas de Si. Los MOSFET CoolSiC G2 de Infineon avanzan aún más en la exclusiva tecnología de interconexión XT (por ejemplo, en las carcasas discretas TO-263-7, TO-247-4) que supera el desafío común de mejorar el rendimiento del chip semiconductor manteniendo la capacidad térmica. La capacidad térmica G2 es un 12 % mejor, lo que aumenta las cifras de mérito del chip a un excelente nivel de rendimiento de SiC.