Etapa de potencia integrada de la serie SiC6xx DrMOS

La etapa de energía integrada DrMOS SiC620 de Vishay Semiconductors está optimizada para aplicaciones tipo buck síncronas para ofrecer alta tensión, gran eficacia y rendimiento de alta densidad de potencia. El SiC620, ofrecido en un paquete MLP de 5 mm x 5 mm patentado por Vishay, permite diseños de regulador de tensión de hasta 60 A de corriente continua por fase. Los MOSFET de alimentación internos utilizan la moderna tecnología TrenchFET Gen IV de Vishay que ofrece un rendimiento de referencia en el sector mediante la reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción. 

El SiC620 incorpora un CI de controlador de compuerta MOSFET que ofrece una gran capacidad de control de corriente, control de tiempo muerto adaptativo, un diodo Schottky bootstrap integrado, y un aviso térmico (THWn) que alerta al sistema de la excesiva temperatura de unión y detección de corriente cero para mejorar la eficacia con carga ligera. Los controladores también son compatibles con una amplia gama de controladores PWM y admiten PWM de tres estados, lógica PWM de 3,3 V (SiC620A) / 5 V (SiC620).
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