MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Los MOSFET CoolSiC ™ 650V G2 de Infineon Technologies  aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de energía.   Los MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon ofrecen ventajas para diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, como energía fotovoltaica, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos con CC, accionamientos de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 permite reducir hasta en un 10 % la pérdida de potencia con respecto a las generaciones anteriores, al tiempo que ofrece una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma.

Resultados: 53
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.073En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
9En existencias
2.250Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
39En existencias
4.000Fecha prevista: 25/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Hoja de datos
9En existencias
720Fecha prevista: 03/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
21En existencias
5.760Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.113En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.088En existencias
1.800Fecha prevista: 04/03/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.011En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.737En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
235En existencias
480Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
550En existencias
720Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
346En existencias
240Fecha prevista: 17/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
884En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
43En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
25En existencias
1.800Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
5En existencias
2.000Fecha prevista: 29/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Hoja de datos
18En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
4.396Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
4.000Fecha prevista: 05/08/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
3.972Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
15.600Fecha prevista: 24/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC