MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Los MOSFET CoolSiC ™ 650V G2 de Infineon Technologies  aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de energía.   Los MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon ofrecen ventajas para diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, como energía fotovoltaica, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos con CC, accionamientos de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 permite reducir hasta en un 10 % la pérdida de potencia con respecto a las generaciones anteriores, al tiempo que ofrece una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma.

Resultados: 53
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 1.156En existencias
Cinta extraída
21,23 €
14,28 €
14,27 €
Bobina
13,51 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.490En existencias
Cinta extraída
29,40 €
21,96 €
21,27 €
19,62 €
Bobina
19,62 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 4.051En existencias
Cinta extraída
10,02 €
5,61 €
5,42 €
5,13 €
Bobina
5,13 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 708En existencias
Cinta extraída
12,09 €
6,92 €
Bobina
6,55 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 280En existencias
Cinta extraída
11,19 €
6,72 €
6,57 €
6,17 €
Bobina
5,44 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 416En existencias
Cinta extraída
7,18 €
4,09 €
3,76 €
3,60 €
Bobina
3,13 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 778En existencias
Cinta extraída
6,27 €
3,35 €
3,07 €
2,92 €
Bobina
2,76 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 306En existencias
3.750Pedido
Cinta extraída
22,51 €
17,71 €
15,58 €
13,97 €
Bobina
13,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 469En existencias
Cinta extraída
14,20 €
8,53 €
8,07 €
Bobina
8,07 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 794En existencias
Cinta extraída
5,63 €
2,98 €
2,73 €
2,39 €
Bobina
2,39 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 335En existencias
2.000Fecha prevista: 28/01/2027
Cinta extraída
20,57 €
13,71 €
13,70 €
12,98 €
Bobina
12,98 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Plazo producción 52 Semanas
Cinta extraída
12,96 €
7,58 €
7,16 €
Bobina
7,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2.648En existencias
Cinta extraída
6,34 €
4,28 €
3,11 €
2,96 €
2,77 €
Bobina
2,77 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 685En existencias
Cinta extraída
5,75 €
3,06 €
2,80 €
2,46 €
Bobina
2,46 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 1.958En existencias
Cinta extraída
10,71 €
7,26 €
6,65 €
6,05 €
5,83 €
Bobina
5,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2 1.648En existencias
Cinta extraída
9,31 €
5,18 €
4,92 €
4,65 €
Bobina
4,65 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2.027En existencias
Cinta extraída
5,36 €
2,83 €
2,81 €
2,21 €
Bobina
2,21 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 476En existencias
7,28 €
3,90 €
3,59 €
3,10 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 10.334En existencias
Cinta extraída
12,55 €
7,27 €
6,87 €
Bobina
6,87 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 13En existencias
1.500Fecha prevista: 11/11/2027
Cinta extraída
16,42 €
10,28 €
10,08 €
Bobina
9,73 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 21En existencias
2.000Fecha prevista: 29/04/2027
Cinta extraída
12,24 €
7,96 €
7,14 €
6,91 €
Bobina
6,17 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 39En existencias
4.000Fecha prevista: 06/05/2027
Cinta extraída
7,54 €
4,09 €
3,75 €
3,66 €
3,45 €
Bobina
3,23 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.058En existencias
Cinta extraída
16,06 €
9,99 €
Bobina
9,46 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.705En existencias
Cinta extraída
12,95 €
7,57 €
7,16 €
Bobina
7,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 351En existencias
3.600Fecha prevista: 05/08/2027
Cinta extraída
11,97 €
7,76 €
6,93 €
6,34 €
5,92 €
Bobina
5,92 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC