Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
P1dB - Punto de compresión
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

2.4 GHz to 3.1 GHz 32 V 31.9 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-17 Si - 40 C + 150 C AFIC31025 Reel
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

575 MHz to 1.3 GHz 48 V to 55 V 34.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-15 Si 43.8 dBm - 40 C + 150 C A2I09VD030 Reel
NXP Semiconductors Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
NXP Semiconductors Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

32 V Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBL-16 Si MD8IC970N Reel
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 1 semana
Mín.: 1
Múlt.: 1
2.515 GHz to 2.675 GHz 13.9 dB SMD/SMT DFN-6 GaN - 55 C + 150 C A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel