612 SRAM

Resultados: 30
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Frecuencia máxima de reloj
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Hoja de datos
150En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 525
Múlt.: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 210
Múlt.: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 525
Múlt.: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 12ns Async SRAM 3.3v
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 1 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 DDR-II Sync SRAM
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray