Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Resultados: 39
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Frecuencia máxima de reloj
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Hoja de datos
539En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Hoja de datos
2.170En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 127

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
1.611En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 2
Bobina: 1.000

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Hoja de datos
285En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 12

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Hoja de datos
1.733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 28

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Hoja de datos
867En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 6

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
308En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 16

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
4.821En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 491
Bobina: 2.500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
1.601En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 719

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
4.274En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.465
Bobina: 2.500

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
3.104En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 38
Bobina: 2.500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Hoja de datos
557En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
346En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
86En existencias
270Fecha prevista: 05/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 136

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Hoja de datos
240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 36

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Hoja de datos
215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel