CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
681En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 36.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.276En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 400 V 133 A 14.4 mOhms 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
943En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 21.7 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
968En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
895En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 16.3 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.850En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement