CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

Tipos de Transistores

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Resultados: 25
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 213En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 376En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1.352En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 681En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.276En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 943En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 968En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 895En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.850En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.800Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1.800Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
239Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
236Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
240Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel