onsemi SiC FET MOSFET de SiC

Resultados: 83
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
688En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
1.247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
768En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
812En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
1.295En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
678En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
3.300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
781En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
650En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
595En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
932En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
843En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
625En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
558En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
2.130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
1.026En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
472En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
599En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
1.262En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
463En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET