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UJ4SC075018B7S

Name: onsemi UJ4SC075018B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4SC075018B7S
Price: 18.28 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UJ4SC075018B7S

Fabr. N.º:

UJ4SC075018B7S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7

Hoja de datos:

UJ4SC075018B7S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	13,15 €	131,50 €
	12,87 €	1.287,00 €
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	12,01 €	9.608,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	72 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	37.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	259 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Serie:	UJ4SC
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	136 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET de SiC UJ4C/SC de 750 V en encapsulado D2PAK-7L

Los FET de SiC UnitedSiC / Qorvo 750V UJ4C/SC en encapsulado D2PAK-7L están disponibles en múltiples opciones de resistencia de encendido de 9 mΩ a 60 mΩ. Aprovechando una tecnología única de FET de SiC en cascada en la que un JFET de SiC de conexión normal se combina con un MOSFET de Si para producir un FET de SiC de desconexión normal, estos dispositivos ofrecen la mejor cifra de mérito_RDS x área de su clase, lo que se traduce en las menores pérdidas por conducción en una matriz pequeña. El encapsulado D2PAK-7L proporciona una inductancia reducida a partir de bucles de conexión internos compactos que, junto con la conexión de fuente Kelvin incluida, se traduce en una baja pérdida de conmutación, lo que permite un funcionamiento a mayor frecuencia y una densidad de potencia del sistema mejorada. Cinco conexiones de fuente de ala de gaviota en paralelo permiten una inductancia baja y un uso de corriente elevado. La fijación de la matriz mediante sinterización de plata ofrece una resistencia térmica muy baja para una extracción máxima del calor en placas de circuito impreso estándar y sustratos IMS con refrigeración líquida. Estos FET de SiC ofrecen un diodo de cuerpo bajo, una carga de compuerta ultrabaja y una tensión de umbral de 4,8 V que permite un accionamiento de 0 V a 15 V. Las características estándar de accionamiento de puerta de los FET los convierten en sustitutos ideales de los IGBT de Si, los FET de Si, los MOSFET de SiC o los dispositivos de superunión de Si.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.