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TK6P65W,RQ

Name: Toshiba TK6P65W,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK6P65WRQ
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK6P65WRQ

Fabr. N.º:

TK6P65W,RQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET Power MOSFET N-Channel

Hoja de datos:

TK6P65W,RQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,20 €	1,20 €
	0,963 €	9,63 €
	0,673 €	67,30 €
	0,66 €	330,00 €
	0,627 €	627,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,571 €	1.142,00 €
	0,562 €	2.248,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	890 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	TK6P65W
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	34 ns
Peso unitario:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Product Catalogs

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.