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TK5P50D(T6RSS-Q)

Name: Toshiba TK5P50D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK5P50DT6RSS-Q
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK5P50DT6RSS-Q

Fabr. N.º:

TK5P50D(T6RSS-Q)

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

Hoja de datos:

TK5P50D(T6RSS-Q) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	1,18 €	11,80 €
	0,795 €	79,50 €
	0,64 €	320,00 €
	0,599 €	599,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,526 €	1.052,00 €
	0,519 €	2.076,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.4 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	80 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	TK5P50D
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	55 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	40 ns
Peso unitario:	330 mg

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Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.