IXYS X2-Class Serie MOSFET

Resultados: 17
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
232En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
295En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
87En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
1.000Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
140Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 350
Múlt.: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTY4N65X2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel