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AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-AFGB30T65RQDN

Fabr. N.º:

AFGB30T65RQDN

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,69 €	3,69 €
	2,43 €	24,30 €
	1,81 €	181,00 €
	1,62 €	810,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	1,43 €	1.144,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.58 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	20 V, 30 V
Corriente continua del colector a 25 C:	68 A
Pd (disipación de potencia):	235.48 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.