IXYS BIMOSFET IGBT

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 75A
Hoja de datos
3.229En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
Hoja de datos
2.787En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT SMPDB 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
291En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BIMOSET 42A 1700V
Hoja de datos
297En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Hoja de datos
295En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBH10N170 Tube

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
281En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 1700V 16A
Hoja de datos
239En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBT16N170 Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Hoja de datos
269En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 60A
Hoja de datos
219En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube
IXYS IGBT 1700V 25A
Hoja de datos
630En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 40 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 55 A 300 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A
Hoja de datos
5En existencias
650Fecha prevista: 04/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube
IXYS IGBT 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Hoja de datos
180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXBH6N170 Tube
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Hoja de datos
307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3.6 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 18 A 230 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS IGBT 1700V 16A
Hoja de datos
1.215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS IGBT BIMOSFETS 1700V 200A
Hoja de datos
314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBX75N170 Tube

IXYS IGBT 1700V 75A
Hoja de datos
302En existencias
450Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
Hoja de datos
277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
8En existencias
720Fecha prevista: 11/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
Hoja de datos
1.275Fecha prevista: 22/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Hoja de datos
300Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
Hoja de datos
300Fecha prevista: 01/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT TO263 3KV 14A HI GAIN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 48 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 34 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube