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IXBT14N300HV

Name: IXYS IXBT14N300HV
Brand: IXYS
SKU: 576-IXBT14N300HV
Price: 51.66 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

576-IXBT14N300HV

Fabr. N.º:

IXBT14N300HV

Fabr.:

IXYS

Descripción:

IGBT IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

Hoja de datos:

IXBT14N300HV Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 300

Fecha prevista: 24/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 54

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	51,66 €	51,66 €
	44,06 €	440,60 €
	36,34 €	4.360,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	3 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.7 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	38 A
Pd (disipación de potencia):	200 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	Very High Voltage
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	BIMOSFET

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.