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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.8 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NSVT5551MR6T1G

Fabr. N.º:

NSVT5551MR6T1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

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	0,499 €	4,99 €
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	0,268 €	134,00 €
	0,23 €	230,00 €
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	0,173 €	1.038,00 €
	0,16 €	1.440,00 €
	0,156 €	3.744,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSOT-23-6
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	160 V
Voltaje colector-base VCBO:	180 V
Voltaje emisor-base VEBO:	6 V
Pd (disipación de potencia):	700 mW
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	300 MHz
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	600 mA
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolar Transistor

onsemi NSVT5551M Bipolar Transistor is an AEC-Q101 qualified NPN general-purpose low V_CE(sat) amplifier. This NPN bipolar transistor has matched dies and operates at -55°C to 150°C storage temperature range. The NSVT5551M BJT Pb-free, halogen-free, BFR-free, and RoHS-compliant. This transistor is generally used for many different applications.