IRFPF Serie MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado

Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP
Hoja de datos
901En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6.7 A 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
Hoja de datos
590En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube