Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches

Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches comprise monolithic bidirectional switches (BDS) based on Infineon's gallium nitride technology. The devices are normally off, with a single Schottky gate (SG) and the ability to block voltages and current in both directions. These Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches come in extremely small packages, making them a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch 3.998En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT SG-UFWLB-12 1 Channel 40 V 30 A 12 mOhms 4.4 nC - 40 C + 125 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch
4.000Fecha prevista: 07/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT SG-UFWLB-22 1 Channel 40 V 53 A 4.8 mOhms 9.1 nC - 40 C + 125 C 25 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch
4.000Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT SG-UFWLB-16 1 Channel 40 V 35 A 8 mOhms 5.3 nC - 40 C + 125 C 21 W Enhancement CoolGaN