NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs

Nexperia NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs are silicon carbide (SiC)-based, 1200V power MOSFETs in well-established 4-pin TO-247 plastic packages. These MOSFETs exhibit excellent drain-source on-state resistance temperature stability. The series offers low switching losses, fast reverse recovery, and fast switching speeds. The Nexperia MOSFETs provide faster commutation and improved switching due to the additional Kelvin source pin. The NSF0x120L4A0 modules feature a 22V maximum gate-source voltage, +175°C maximum junction temperature, and EU RoHS compliance. Typical applications include electric vehicle (EV) charging infrastructure, photovoltaic inverters, switched mode power supplies (SMPS), uninterruptable power supply, and motor drives.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal

Nexperia MOSFET de SiC NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
330En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
390En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement