1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
Hoja de datos
18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Press Fit N-Channel 1.2 kV 40 A - 10 V, 23 V 5.15 V 20 mW EasyPACK 2B Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
Hoja de datos
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Módulos MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray