STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1.973
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
Hoja de datos
2.731En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
Hoja de datos
33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
Hoja de datos
1.020En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp
Hoja de datos
919En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
926En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
Hoja de datos
35.126En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC
Hoja de datos
18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Hoja de datos
37En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1.003En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1.047En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
600Fecha prevista: 20/04/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
766En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
145En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Hoja de datos
21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 PNP


STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Hoja de datos
566En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
151En existencias
1.000Fecha prevista: 17/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
191En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
532En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
590En existencias
1.200Fecha prevista: 09/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
338En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
599En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
368En existencias
1.200Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Hoja de datos
194En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 200

MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel