Infineon EconoDUAL Módulos IGBT

Resultados: 44
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Pd (disipación de potencia) Empaquetado / Estuche Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module 25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF300R12MS4
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 370A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 3.2 V 370 A 400 nA 1.95 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF600R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 600 A dual IGBT module 16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 700 A 100 nA 1.8 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R12MS4
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 275A 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 3.2 V 275 A 400 nA 1.45 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1200V 300A 149En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA 1.6 kW - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1200V 225A 21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules 1.2 kV 2.15 V 225 A 400 nA 1.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 675 A 400 nA 2.25 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 18En existencias
20Fecha prevista: 06/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies F4-150R12KS4
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 180A 14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 4-Pack 1.2 kV 3.2 V 180 A 400 nA 960 W Econo 3 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF225R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 225 A dual IGBT module 7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 225 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module 6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA2
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 150 A fourpack IGBT module 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 4-Pack 1.7 kV 1.95 V 230 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF150R12ME3G
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 200A 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 200 A 400 nA 695 W EconoDUAL-3 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF150R17ME3G
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.7KV 240A 4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2 V 240 A 400 nA 1.05 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
30Fecha prevista: 13/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.85 V 900 A 100 nA 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
20Fecha prevista: 28/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 200 A fourpack IGBT module No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 225A Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 3.7 V 225 A 400 nA 12.5 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 225A No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 340 A 400 nA 1.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 300 A dual IGBT module No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Tray