X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Serie Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET 187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 65 A 89 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET 177En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 125 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 W X-Class Tube
IXYS Módulos MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET 158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 110 A 33 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.17 kW HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 65 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 mW Tube
IXYS Módulos MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class No en almacén Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube