Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar vista de categoría
Resultados: 26
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
onsemi MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET 68.931En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT Power-33-8

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM 1.299En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm 4.573En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V 1.316En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
onsemi MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET 3.823En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT DualCool-56-8
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V 757En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm 1.956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT Dual Cool 88-8

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 16A SIC SBD 263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM 2.279En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
onsemi MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET 6.990En existencias
6.000Fecha prevista: 07/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT DualCool-56-8
onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A 760En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm 1.082En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

onsemi MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET 1.207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET 12.191En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT Power-33-8
onsemi MOSFET N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO 1.837En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT DualCool-88-8
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V 764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2

onsemi IGBT 650V 40A FS4 TRENCH IGBT 641En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V SiC SBD 30A 132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT 188En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
2.851Fecha prevista: 20/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT Power-33-8
onsemi MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
3.000Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT DualCool-88-8

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
900Fecha prevista: 17/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)