RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 163
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37.637En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35.170En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9.284En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 42.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2.531En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5.980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5.560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5.985En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2.730En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5.985En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5.998En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5.558En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7.772En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5.762En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5.644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4.724En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 32.535En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SOT-323-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5.961En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 9.256En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SOD-323-2
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6.045En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11.246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5.779En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3