TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
1.425En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
1.290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
615En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
1.795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
279En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
382En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Hoja de datos
720En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
480Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4