Automotive Solutions

Automotive Solutions de Toshiba ofrece una serie de dispositivos semiconductores para automoción diseñados para mejorar la seguridad durante la conducción. Incluye sistemas avanzados de asistencia para el conductor (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia preparadas para el futuro con el objetivo de ofrecer soluciones integrales de asistencia para el conductor. Estas soluciones incluyen la autoconducción, que simula la función del ojo humano y otros sentidos complejos propios del ser humano.

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Cant. RoHS
Toshiba Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
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Toshiba Diodos de conmutación de señal pequeña High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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Toshiba Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
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Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
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Toshiba Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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Toshiba MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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Toshiba MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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Toshiba Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
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Toshiba Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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Toshiba MOSFET 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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Plazo producción 21 Semanas
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Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
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51.000Fecha prevista: 02/03/2026
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Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
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Toshiba MOSFET Small Signal Mosfet
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Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
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Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
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6.000Fecha prevista: 13/02/2026
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Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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Toshiba Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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Toshiba MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
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Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
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Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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6.000Pedido
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Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
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80En existencias
9.000Fecha prevista: 13/02/2026
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Toshiba Diodos de conmutación de señal pequeña Switching diode SNG Low leak current
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