Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Tipos de Semiconductores

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Resultados: 51
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 7

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 88En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 539En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 2.170En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 127


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1.611En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 2
Bobina: 1.000

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 285En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 12

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 6

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1.733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 28

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 308En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 16

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 37

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 656En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 121

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1.887En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 827En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 353

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 174En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 13

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 467En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 32

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 15

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.821En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 491
Bobina: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 1.601En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 719

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.274En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.465
Bobina: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3.104En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 38
Bobina: 2.500