STMicroelectronics MOSFET

Resultados: 11
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
Hoja de datos
446En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 57 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
Hoja de datos
565En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
338En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Hoja de datos
137En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Hoja de datos
544En existencias
2.100Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Hoja de datos
354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Hoja de datos
139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
Hoja de datos
100Fecha prevista: 13/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.4 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 900
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube