STFW4N150

STMicroelectronics
511-STFW4N150
STFW4N150

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

Modelo ECAD:
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En existencias: 354

Existencias:
354 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,51 € 5,51 €
4,22 € 42,20 €
3,41 € 341,00 €
3,04 € 1.824,00 €
2,60 € 3.120,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STFW4N150
Cantidad del paquete de fábrica: 300
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 7 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

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