Transistores RF MOSFET

Resultados: 627
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

LDMOS 52 V 700 MHz to 1 GHz 35 dB 47 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300
Bobina: 300

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray