Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Microchip Technology Transistores RF MOSFET RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 15 A 500 V 100 MHz 16 dB 400 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores RF MOSFET RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 36 A 170 V 175 MHz 16 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT SOE-4
Microchip Technology Transistores RF MOSFET RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Power Trans N-Channel
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 120
Múlt.: 120
Bobina: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 300
Bobina: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 300
Bobina: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 160
Múlt.: 160
Bobina: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Hoja de datos
Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk