TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Ganancia
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

TGA2975 Reel