TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

2.5 GHz 30 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN 32 dBm TGA2237 Gel Pack
Qorvo Amplificador de RF 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

30 MHz to 2.5 GHz 32 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-32 GaN SiC 33 dBm - 40 C + 85 C TGA2237 Waffle