T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
P1dB - Punto de compresión
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
Hoja de datos
700Fecha prevista: 10/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo Amplificador de RF 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
Hoja de datos
N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle