QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair No en almacén
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo Amplificador de RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel