MMIC basados en HEMT de GaN

Los MMIC (circuitos monolíticos integrados de microondas) basados en HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree permiten anchos de banda extremadamente amplios en paquetes de tamaño reducido. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Los HEMT de GaN ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs.
Más información

Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
P1dB - Punto de compresión
OIP3 - Interceptación de tercer pedido
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
1En existencias
10Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
Hoja de datos
2En existencias
50Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray