SDRAM DDR

La memoria SRAM DDR de Micron es una tecnología pionera y revolucionaria que permite que las aplicaciones puedan transferir datos en los flancos de subida y bajada de una señal de reloj. Esto sirve para duplicar el ancho de banda y mejora el rendimiento ofrecido por las memorias SDRAM SDR. Para obtener este nivel de funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura de captura previa 2n, donde el bus interno de datos tiene el doble de tamaño que el bus externo de datos, por lo que la captura de datos se puede llevar a cabo dos veces con cada ciclo de reloj.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT 1.975En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 60/108FBGA 1 CT 1.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT 1.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray