S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Serie
Tamaño de memoria
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Lectura máx. de corriente activa
Tipo de interfaz
Frecuencia máxima de reloj
Organización
Anchura de bus de datos
Tipo de temporización
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
Infineon Technologies Flash NOR PNOR
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 660
Múlt.: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies Flash NOR Nor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 3.380
Múlt.: 3.380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies Flash NOR Nor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.600
Múlt.: 1.600
Bobina: 1.600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel