Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 440En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100
: 2.000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape