EMD4E001G Spin-Transfer Torque MRAM

Everspin Technologies EMD4E001G Spin-Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM) features 1Gb non-volatile ST-DDR4 MRAM with a 64Mb x 16 organization. These devices offer more effective management of I/O streams, allowing storage OEMs to significantly improve the quality of service of their products. The double data rate (DDR) architecture achieves high-speed operation and is an 8n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. Other features include multipurpose register READ and WRITE capability, per-device addressability (PDA), and on-device termination. Everspin Technologies EMD4E001G is compatible with Xilinx FPGA controllers and offers a persistent data buffer in storage and fabric/software accelerators, computational storage, and other applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Empaquetado / Estuche Tipo de interfaz Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Everspin Technologies MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM No en almacén Plazo producción 29 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM No en almacén Plazo producción 29 Semanas
Mín.: 380
Múlt.: 190

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Tray