GaN Semiconductores

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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700En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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700En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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700En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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668En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Texas Instruments Controlador de puerta 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
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275En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

Analog Devices Controladores de puerta con aislamiento galvánico Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
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4.246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Analog Devices Controladores de puerta con aislamiento galvánico Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
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3.621En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Analog Devices Controladores de puerta con aislamiento galvánico Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
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13.615En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Mini-Circuits Amplificador de RF High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm
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2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN SOT8075 650V 17A FET
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1.582En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Qorvo Amplificador de RF 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
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10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

Qorvo FET de GaN DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
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375En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Power Integrations Conversores CA/CC 75 W (85-265 VAC)
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7.773En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM Amplificador de RF 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
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238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN SOT8072 100V 60A FET
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1.604En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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Comentarios de Producto
680En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

Nexperia FET de GaN SOT8073 150V 28A FET
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4.143En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 17A FET
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2.036En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Qorvo Amplificador de RF 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
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34En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM FET de GaN 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
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20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
CML Micro Amplificador de RF Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
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88En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10

MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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99En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM Amplificador de RF MMIC, GaN HEMT, G28V5, 50W, 5.2-5.9GHz,
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28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10

Qorvo FET de GaN DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
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33En existencias
100Fecha prevista: 11/11/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50