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IMZA120R020M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA120R020M1HXK
Price: 17.17 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IMZA120R020M1HXK

Fabr. N.º:

IMZA120R020M1HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos:

IMZA120R020M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.438

Fecha prevista: 02/03/2026

960

Fecha prevista: 01/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	17,17 €	17,17 €
	14,64 €	146,40 €
	12,66 €	1.266,00 €
	12,65 €	6.072,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	98 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	19 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de parte #:	IMZA120R020M1H SP005448293

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.