GaN Semiconductores

Resultados: 797
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Infineon Technologies Controlador de puerta 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.083En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2.678En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch 2.779En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000
Power Integrations Conversores CA/CC 20 W (85-580 VAC) 1.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Power Integrations Conversores CA/CC 35 W (85-580 VAC) 1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

Qorvo FET de GaN DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi Conversores CA/CC ACTIVE CLAMP FLYBACK 2.418En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Texas Instruments Controlador de puerta 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1.600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 1.989En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 2.088En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Infineon Technologies Controlador de puerta CoolGaN Drive HB 600 V G5 42En existencias
3.000Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch 2.774En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000
Texas Instruments Controlador de puerta 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri 2.648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 9.600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 9.083En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Infineon Technologies FET de GaN MV GAN DISCRETES 8.406En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Infineon Technologies FET de GaN HV GAN DISCRETES 4.043En existencias
1.800Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5 2.208En existencias
4.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Qorvo Amplificador de RF 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Analog Devices Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs 16En existencias
25Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Texas Instruments Controlador de puerta 1.273En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50
: 2.000

Texas Instruments Controlador de puerta 1.997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 25
: 2.000

Texas Instruments Controlador de puerta 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50
: 2.000