Resultados: 34
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
21.815En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
3.724En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
Hoja de datos
893En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 1700V 2A
Hoja de datos
113En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube

IXYS MOSFET 6Amps 1000V
Hoja de datos
358En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Hoja de datos
3.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Hoja de datos
691En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET
Hoja de datos
1.116En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
1.771En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Hoja de datos
809En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Hoja de datos
837En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET TO247 1KV 10A N-CH DEPL
Hoja de datos
309En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET
Hoja de datos
545En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Hoja de datos
1.319En existencias
750Fecha prevista: 02/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Hoja de datos
427En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
Hoja de datos
116En existencias
450Fecha prevista: 11/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 8mAmps 1000V
Hoja de datos
5.519En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
26En existencias
1.200Fecha prevista: 07/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
31En existencias
400Fecha prevista: 02/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
Hoja de datos
576En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Hoja de datos
259En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-channel MOSFET
Hoja de datos
11En existencias
300Fecha prevista: 06/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Hoja de datos
175En existencias
300Fecha prevista: 01/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube