3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET 756En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SiC MOSFETS SiC
GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
120Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2