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GC50MPS33H

Name: Navitas Semiconductor GC50MPS33H
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GC50MPS33H
Price: 257.66 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

905-GC50MPS33H

Fabr. N.º:

GC50MPS33H

Fabr.:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS

Hoja de datos:

GC50MPS33H Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 120

Fecha prevista: 21/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 33

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	257,66 €	257,66 €
	211,61 €	2.116,10 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	50 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	3.3 kV
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Tube
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
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ECCN:: EAR99

3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.